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日本dip評估裝置(膜厚計)AFW-100W

日本dip評估裝置(膜厚計)AFW-100W

更新日期:2024-05-12

訪問量:1051

廠商性質:經銷商

生產地址:

簡要描述:
日本dip評估裝置(膜厚計)AFW-100W
與SEM和測針型輪廓儀不同,無需接觸即可進行測量。
-與橢偏儀相比,價格低廉且易于使用。

日本dip評估裝置(膜厚計)AFW-100W

日本dip評估裝置(膜厚計)AFW-100W

 

 

評估裝置(膜厚計)

建議將反射光譜膜厚計用于硬涂層等膜厚測量應用。

評估裝置(膜厚計)

[機理]當
用光照射樣品時,取決于膜的厚度,它顯示出*的光譜。膜表面上反射的光與穿過膜并在基板表面上反射的光相互干擾。當光的相位匹配時,強度增加,而當光的相位偏移時,強度降低。反射法是通過分析該光譜來測量膜厚的方法。

[優(yōu)點]-
與SEM和測針型輪廓儀不同,無需接觸即可進行測量。
-與橢偏儀相比,價格低廉且易于使用。

將來也可以將其安裝在量產設備中。

模型AFW-100W
一般膜厚
設備配置單元本體,測量架,2分支光纖(1.5m),PC
測量波長范圍380-1050納米
膜厚測量范圍100nm?1μm(曲線擬合法)
1μm至60μm(FFT)
測量重現(xiàn)性0.2%-1%(取決于膠片質量)
測量光斑直徑約7mm
光源12V-50W鹵素燈
測量理論曲線擬合法/ FFT法
外形尺寸(mm)尺寸支架:W150 x D150 x H115
機身:W230 x D230 x H135
大概重量5.5kg *不包括PC
公用事業(yè)AC100V 50/60赫茲
轟天猛將鹵素燈
 

 

測量工作量

從傳感器正下方的深度尺寸(黃色箭頭):
可以測量126毫米8英寸晶圓。

 

顯微分光膜測厚儀

通過使用顯微鏡,可以測量過去無法測量的具有不規(guī)則性的電子元件和曲面透鏡。

它測量相對于透鏡曲率的微小區(qū)域,并抑制散射光以進行測量。 它可以測量微小區(qū)域,以防止晶片圖案和電子元件的不平整,抑制散射光,并可以進行測量。
名稱顯微分光膜測厚儀
設備配置顯微鏡,機身,光纖(1m),PC
顯微鏡奧林巴斯金相顯微鏡
測量波長范圍380-700納米
膜厚測量范圍50nm-1.5μm(C / F)
1.5μm至50μm(FFT)
測量重現(xiàn)性0.2%-1%(取決于膠片質量)
測量光斑直徑Φ6μm至Φ120μm
光源12V-100W鹵素燈
測量理論曲線擬合法/ FFT法
外形尺寸(mm)顯微鏡:W317.5 x D602 x H480
機身:W230 x D230 x H135
大概重量25kg *不包括PC
公用事業(yè)AC100V 50/60赫茲
轟天猛將鹵素燈

 

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